Samsung начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения емкостью 1 Тбит.
Новые чипы имеют улучшенную плотность и энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением. Объем слоев и технологический процесс не раскрываются, однако улучшения включают увеличение битовой плотности, повышенный срок службы и уменьшение планарной площади ячеек памяти.
3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом Toggle 5.1 нового поколения, увеличивающим скорость ввода/вывода данных на 33% до 3,2 Гбит/с и снижающим энергопотребление на 10%.
Новые чипы имеют улучшенную плотность и энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением. Объем слоев и технологический процесс не раскрываются, однако улучшения включают увеличение битовой плотности, повышенный срок службы и уменьшение планарной площади ячеек памяти.
3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом Toggle 5.1 нового поколения, увеличивающим скорость ввода/вывода данных на 33% до 3,2 Гбит/с и снижающим энергопотребление на 10%.