Samsung заявила о создании образца 16-слойного стека памяти HBM, который будет использоваться с переходом на HBM4. Предсерийные образцы ожидаются в 2025 году, а массовое производство начнется в 2026 году.
Вице-президент Samsung, Ким Дэ У, сообщил об этом, отметив, что этот чип был разработан в соответствии со стандартом HBM3. Планировалось использовать гибридное соединение только для одного или двух кристаллов, но в итоге оно было применено ко всем шестнадцати.
Образец стека был изготовлен на оборудовании дочерней компании Samsung, Semes. Samsung также рассматривает возможность использования термокомпрессионной непроводящей плёнки (TC-NCF) для HBM4.
В чипах HBM3E Samsung использует технологию TC-NCF, а гибридное соединение обещает быть более эффективным, поскольку позволяет компактно добавлять больше слоев без сквозных соединений TSV (Through Silicon Via).
Вице-президент Samsung, Ким Дэ У, сообщил об этом, отметив, что этот чип был разработан в соответствии со стандартом HBM3. Планировалось использовать гибридное соединение только для одного или двух кристаллов, но в итоге оно было применено ко всем шестнадцати.
Образец стека был изготовлен на оборудовании дочерней компании Samsung, Semes. Samsung также рассматривает возможность использования термокомпрессионной непроводящей плёнки (TC-NCF) для HBM4.
В чипах HBM3E Samsung использует технологию TC-NCF, а гибридное соединение обещает быть более эффективным, поскольку позволяет компактно добавлять больше слоев без сквозных соединений TSV (Through Silicon Via).